集成电路高等制造工艺

课程代码X210532学分/学时3.0 /54开课时间春,秋
课程名称集成电路高等制造工艺
开课学院微电子学院
任课教师
面向专业微电子
预修课程集成电路制造工艺基础
课程讨论时数0 (小时)课程实验数0 (小时)
课程内容简介
     随着集成电路的器件的尺寸继续的细小化和集成密度的不断提高,不断的有新的材料,工艺以及集成工艺被引入到集成电路的制造过程当中.同时如何把原有的集成电路制造工艺,新的制造工艺和材料整合成一个完整制造过程变的尤为重要.<>将着重介绍最新出现的集成电路工艺,材料以及工艺合成的方法,使得学生能够具有实际的能力在将来的实际工作中具有将所学到的集成电路制造工艺基础知识整和成为一个连贯的能够具有特定生产产品能力的完整工艺过程。
课程内容简介(英文)
(无)
教学大纲
教学内容安排与学习大纲: 
第一章 Device Isolation, Contacts and Metallization (8学时) 
1.) Device Isolation (Locos, STI and SOI) 
2.) Contacts Introduction (Schottky Contacts, Ohmic Contacts and Alloyed Contacts)
3.) Advanced Salicides Process 4.) Metallization and Interconnect 
第二章 Well Formation (6学时) 
1.) CMOS Structure Evolution 
2.) Retrograde Wells, Super Steep Retrograde Well 
3.) Source/Drain Engineering and Punchthrough Implant
第三章 Gat Oxide Technology (6学时) 
1.) Structure of Traditional Gate Oxide
2.) Defects, Dielectric Breakdown and Leakage Current
3.) Gate Oxide Reliability and Limits of Traditional Gate Oxide 
4.) Introduction to High K and Metal Gate
5.) High K/Metal Gate Candidates and Related Issues 
6.) High K/Metal Gate Integration Scheme
第四章 Low K Dielectric (4学时) 
1.) Introduction to Low K Dielectrics 
2.) Desired Characteristics of Low K Dielectrics
3.) Low K Materials Evolution 
第五章 CMOS Scaling (6学时) 
1.) The Basic Behavior of Long Channel Device
2.) The Basic Behavior of Short Channel Device 
3.) CMOS Scaling Theory 
第六章 A Advanced CMOS Integration Scheme (4学时) 
1.) STI and Well Formation
2.) Gate Module, Source/Drain and Contacts
第七章 Introduction on How to Anchor a CMOS Research Program (4学时) 
1.) Overall Project Management Methodology 
2.) Device Design Methodology
第八章 SOI Technology (4学时) 
第九章 GaAs Technology (3学时)
第十章 Silicon Bipolr Technology (3学时)
课程进度计划
(无)
课程考核要求
1.) 开卷考试
2.) 研究报告
参考文献
1.) IEDM 
2.) VLSI Symposium 
3.) Silicon Processing for the VLSI Era by Stanley Wolf