集成电路工艺技术课程设计

课程目标:  
(1)让学生熟悉并掌握半导体器件与工艺模拟仿真软件(TCAD)Silvaco的使用,具备应用TCAD软件设计分析PN结二极管、PNP、MOSFET器件的工艺与电学特性的能
(2)让学生基本掌握半导体关键工艺的基本原理与操作,二期包括干氧氧化、湿氧氧化、扩散、湿法清洗与刻蚀、膜厚测量、测 试设备的使用、光刻等; 
(3)使学生具备设计并制备一个基本半导体器件(如PN结二极管)的基本能力。
课程内容  
(1)TCAD半导体器件与工艺模拟(10学时)
软件条件:Silvaco TCAD软件
硬件条件:计算机教学实验
基本内容:应用TCAD软件设计分析PN结 二极管、PNP、MOSFET器件的工艺与电学特性。
(2)干氧氧化(2学时) 
硬件条件:氧化扩散炉 
耗材:硅片、气源 
(3)湿 法清洗与刻蚀(2学时) 
硬件条件:通风湿法台、 磁力搅拌器、超声清洗机 
耗材:硅片、化学试剂若 干 
(4)扩散(2学时) 
硬件条件:氧化扩散炉 
耗材:硅片、气源、硼扩散源 
(5)湿氧氧化(2学时) 
硬件条件:氧化扩散炉 
耗材:硅片、气源 
(6)膜厚测量(2学时) 
硬件条件:椭偏仪 
耗材:生长了氧化层的硅片 
(7)光 刻(2学时) 
硬件条件:匀胶台、UV照 射机、数字显微镜、通风湿法台等 
耗材:光刻胶、KOH等 化学试剂若干、硅片 
(8)半 导体器件的设计与制备(6学时) 
硬件条件:实验室所有设 备; 
耗材:实验室相关耗材; 
(9)半导体器件性能的表征(2学时) 
硬件条件:数字源表; 
耗材:硅片; 
(10) 讨论课(4学时) 
交流讨论实验过程遇到的 问题及相应的解决方法,研讨最先进的半导体器件加工技术。